行业新闻
新型电子元器件技术的状况如何?
2014-06-30
2014-06-30
新型电子元器件技术状况
片式R/L/C元件:
新产品中的介电层厚度是1.8m,内部电极的厚度是1.6m。未来,把介电层厚度做成1m,并且逐渐把内电极做得更薄:1.2m,0.8m直至0.5m,将能够提供电容量更大的产品,例如尺寸为1005的10F电容器。又如TDK2012/1608叠层型片式电感器的电感量分别达到220/100H。
在工艺上也在发展,如:为了节省昂贵的金属钯(约20万元/公斤),国外各主要生产厂家都己开始采用价格较低的金属Ni(36元/公斤)或Cu作为内电极制作BME-MLCC,己占到总量的90%以上。Ni电极浆料成本约为钯电极浆料成本的60%,电容器成本可降低20%,成为当今MLCC生存竞争的热点。我国在这方面刚刚起步,形势极其严峻。
日本某公司采用Ni电极开发出B特性100F大容量多层陶瓷电容器。该种多层陶瓷电容器,通过进一步进行材料超细化和高分散化,提高了可靠性。运用介质材料的薄层化和高精度叠层技术,数百层的叠层体与内部电极组合在一起,使介质成为无缺欠的烧结体,并采用独特的排胶和烧结技术来实现的。